里的条件，我们没有完整的晶圆台和光刻胶处理线，无法制造出包含复杂电路的完整芯片。”张汝宁指着屏幕解释道，“但是，您看到的这个字母‘f’，其每一笔划的线宽，都是严格按照30n的特征尺寸设计并光刻出来的。”

他伸手轻轻点在屏幕上那个清晰锐利的“f”上，加重语气：

“30n，已经超过了tsc当前7n工艺所能达到的实际精度。”

栾文杰双手捧着那片小小的晶圆，如同捧着一块稀世珍宝。

尽管根本不可能分辨出30n的细微线条，但他依旧看得无比专注——

这手掌上的方寸之间，蕴含着足以撼动全球半导体、乃至全球科技格局的力量。

沉默，持续了足有一分钟。

终于，栾文杰长长地、极其缓慢地吁出一口气，动作轻柔地将晶圆交还给张汝宁。

似乎还带着些许不舍。

“这块晶圆，我们会做专门保存。”常浩南看出了对方的心思，出言道，“这是我们在半导体生产领域反超的，以后可以放进工建委的博物馆里。”

说起这个，他突然想起了那块至今还放在地下仓库里面的b2碎片。

“算了。”栾文杰低声感叹，声音透过面罩显得有些沉闷，“这东西就算能展出，我们怕是也抢不过国博……”

一个玩笑，让现场的气氛轻松了不少。

但很快，他又话锋一转。

“我之前去华芯国际调研的时候，听他们的技术专家提到过。”栾文杰提出了一个更长远的问题，“在当前硅基os工艺的物理框架下，制程的极限大概在5n或者3n附近，如果按照刚才计算的10722n等效波长来推算……”

“是否意味着，未来我们这台arf-1800，也有可能通过技术优化，用于生产下一代，甚至下两代的产品？这关系到我们战略窗口期的长短！”

这个问题，张汝宁已经等待了很久。

“跟刚才那张表上的情况一样，业界宣传的‘5n’、‘3n’这些节点名称，仍然是制程迭代的代称，跟实际的最小物理特征尺寸并非严格的一一对应关系。”

他解释道：

“所谓‘5n’节点实际对应的特征尺寸，业界预估会在25n左右，至于‘3n’，则可能对应到15-18n区间。”

张汝宁隔着面罩整理了一下护目镜，继续深入技术本质：

“对于25n的特征尺寸，arf-1800仍然可以通过双重曝光技术实现，就是良品率会比单次曝光生产30n级别的产品时有所下降 本章尚未完结,请点击下一页继续阅读---->>>

Loading...

内容未加载完成，请尝试【刷新网页】or【设置-关闭小说模式】or【设置-关闭广告屏蔽】~

推荐使用【UC浏览器】or【火狐浏览器】or【百度极速版】打开并收藏网址！

收藏网址：https://www.fulishuwu.org